SiC Coated Graphite Holder kanggo ICP

Multi-wafer Si platform pangolahan epitaxial

Semixlab SiC Coated Graphite Holder kanggo ICP dirancang khusus kanggo etsa lan deposisi plasma kanthi induktif. Iku nggunakake substrat grafit kemurnian dhuwur digabungake karo proses lapisan silikon karbida kanggo nyedhiyani resistance suhu dhuwur banget, resistance karat, lan resistance oksidasi. Cocog kanggo lingkungan analitis sing angel, nambah umur komponen lan nyuda biaya pangopènan. Ing wektu sing padha, kita njamin kontrol kualitas sing ketat, layanan sing disesuaikan, lan pangiriman cepet.

aplikasi:

Wadah grafit sing dilapisi SiC minangka komponèn kunci ing semikonduktor induktif gabungan plasma (ICP) proses etsa lan deposisi amarga kemurnian dhuwur, tahan suhu dhuwur lan tahan erosi plasma sing apik.

Layanan sing bisa diwenehake:

analisis skenario aplikasi customer, materi cocog, pemecahan masalah technical.

Profil perusahaan:

Semixlab duweni 2 laboratorium, tim ahli kanthi pengalaman materi 20 taun, kanthi kemampuan R&D lan produksi, tes lan verifikasi.

paramèter Technical

Bidang aplikasi utama

Verifikasi rantai ekologis

Semixlab SiC Coated Graphite Holder kanggo verifikasi rantai ekologis ICP kalebu bahan mentah kanggo produksi, wis lulus sertifikasi standar internasional, lan duwe sawetara teknologi sing dipatenake kanggo njamin linuwih lan kelestarian ing bidang semikonduktor lan energi anyar.

Kanggo spesifikasi teknis sing rinci, kertas putih, utawa pangaturan tes sampel, hubungi Tim Dhukungan Teknis kanggo njelajah kepiye Semixlab bisa nambah efisiensi proses sampeyan.

Semixlab SiC Coated Graphite Holder kanggo kaluwihan inti ICP

resistance karat super

Pemegang grafit sing dilapisi SiC nggunakake proses deposisi uap kimia kanggo mbentuk lapisan pelindung silikon karbida ing permukaan grafit, kanthi efektif nolak karat saka asam, basa, lan pelarut organik sing kuwat. Dibandhingake karo wadhah grafit utawa logam tradisional, wadhah kasebut luwih stabil nalika nangani conto sing korosif, nyegah kontaminasi amarga degradasi materi. Iku utamané cocok kanggo aplikasi ICP nglibatno cahya long-term kanggo media korosif.

Stabilitas suhu dhuwur

Ing lingkungan plasma ICP suhu dhuwur, grafit biasa gampang dioksidasi lan ablated, nanging lapisan SiC sacara signifikan nyegah reaksi antarane substrat grafit lan oksigen. Resistance suhu dhuwur njamin yen wadhah njaga integritas struktural ing kahanan operasi suhu dhuwur jangka panjang, nyegah degradasi kinerja instrumen amarga deformasi termal utawa mundhut materi. Iku utamané cocok kanggo kabutuhan testing terus-terusan saka laboratorium dhuwur-throughput.

Kekuwatan mekanik sing dhuwur

SiC nduweni kekerasan sing cedhak karo berlian, lan lapisan kasebut nambah resistensi nyandhang permukaan sing luwih angel. Ing ICP, lapisan SiC nyuda nyandhang permukaan lan ngluwihi presisi pas komponen kunci, saéngga njaga efisiensi transmisi ion sing stabil lan nyuda frekuensi panggantos.

Biaya-efektif

Dibandhingake karo SiC murni utawa platinum, grafit sing dilapisi SiC njaga kinerja sing apik nalika nyuda biaya 30% -50%. Umure 3-5 kaping luwih saka sing duwe grafit biasa, kanthi signifikan nyuda downtime lan bahan konsumsi. Iki minangka solusi sing paling efektif biaya, utamane kanggo laboratorium kanthi anggaran winates sing mbutuhake operasi stabil jangka panjang.