Lapisan CVD Tantalum Carbide (TaC).

Lapisan TaC biasane ditimbang nalika SiC wiwit tekan watesane. Iki luwih kerep kedadeyan ing epitaksi SiC utawa pertumbuhan kristal, ing ngendi suhu lan atmosfer proses luwih nuntut.

Kanthi titik leleh sing luwih dhuwur, TaC bisa nangani paparan suhu dhuwur sing luwih suwe kanthi luwih apik, utamane ing lingkungan sing ana hidrogen utawa HCl. Ing praktik, iki ndadekake bedane ing proses kaya pertumbuhan PVT, ing ngendi stabilitas termal langsung mengaruhi kualitas kristal.

Aplikasi umum kalebu cincin pandhuan aliran, wadhah wiji, bagean sing ana gandhengane karo wadhah, lan struktur liyane ing njero medan termal. Komponen kasebut kena pengaruh kahanan sing atos sajrone wektu sing suwe, mula nyuda degradasi dadi penting. Ing sawetara persiyapan, TaC mboko sithik ngganti bahan lawas kaya pBN, lan malah sawetara bagean sing dilapisi SiC, sanajan iki isih gumantung saka biaya lan desain proses.